ဖန်မီးဖို ၂ အတွက် အပူဒဏ်ခံနိုင်သော အပူလျှပ်ကာပစ္စည်းများ တည်ဆောက်ခြင်း

ဖန်မီးဖို ၂ အတွက် အပူဒဏ်ခံနိုင်သော အပူလျှပ်ကာပစ္စည်းများ တည်ဆောက်ခြင်း

ဤထုတ်ဝေမှုတွင် အရည်ပျော်အပိုင်းနှင့် ပြန်လည်ထုတ်လုပ်သည့်ကိရိယာ၏ ဦးရစ်အတွက်အသုံးပြုသည့် အပူလျှပ်ကာအလွှာတည်ဆောက်ခြင်းအတွက် အသုံးပြုသည့် အပူဒဏ်ခံနိုင်သောလျှပ်ကာထုတ်ကုန်များ၏ တည်ဆောက်ပုံနည်းလမ်းကို ဆက်လက်မိတ်ဆက်ပေးသွားပါမည်။

ခံနိုင်ရည်ရှိသော အပူလျှပ်ကာပစ္စည်းများ-၂

၂။ အပူလျှပ်ကာအလွှာတည်ဆောက်ခြင်း
(1) Melter arch နှင့် regenerator crown
အပူလျှပ်ကာအပေါ်ယံလွှာသည် ကပ်စေးပုံစံဖြစ်ပြီး တည်ဆောက်ပုံသည် အလွန်အဆင်ပြေသောကြောင့်၊ မီးဖိုဖုတ်ခြင်း၊ ချဲ့ထွင်မှုအဆစ်နှင့် သရဖူ၏အလယ်ဗဟိုကို လုံအောင်ပိတ်ခြင်းနှင့် ပေါ့ပါးသော အပူလျှပ်ကာအုတ်များခင်းခြင်းပြီးစီးပြီးနောက် အပူလျှပ်ကာအလွှာတည်ဆောက်ခြင်းကို အကောင်အထည်ဖော်နိုင်သည်။ အပူလျှပ်ကာအလွှာ၏ အပူလျှပ်ကာနှင့် အခြောက်ခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ရေငွေ့များစွာထွက်ရှိမည်ဖြစ်သောကြောင့်၊ အပေါ်ယံလွှာသည် တစ်ချိန်တည်းတွင် အလွန်ထူပါက ပြုတ်ကျရန် အလွန်လွယ်ကူသောကြောင့်၊ ပထမဆုံးအပေါ်ယံလွှာအထူကို 10 မီလီမီတာအတွင်း ထိန်းချုပ်သင့်ပြီး သတ်မှတ်ထားသောလိုအပ်ချက်များပြည့်မီသည်အထိ အပေါ်ယံလွှာအထူကို တဖြည်းဖြည်းတိုးမြှင့်နိုင်ပြီး နောက်ဆုံးအလွှာကို ကျောက်ပြားကပ်နိုင်သည်။
(၂) ဘေးနံရံ အစိတ်အပိုင်း
အပူလျှပ်ကာအပေါ်ယံလွှာသည် ကပ်စေးကဲ့သို့ဖြစ်ပြီး ကပ်စေးသိပ်သည်းဆ မြင့်မားသောကြောင့် ဒေါင်လိုက်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အပေါ်ယံလွှာ၏အထူသည် တစ်ချိန်တည်းတွင် ထူထဲနေသောအခါ အတွင်းပိုင်းအခြောက်ခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်နှင့်အတူ ရေငွေ့များစွာထွက်လာပြီး အခွံခွာခြင်းဧရိယာကြီးတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်နိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် မျက်နှာပြင်အပူချိန် 50 ℃ ထက်ကျော်လွန်သောအခါ ပထမအလွှာ၏အထူကို ယေဘုယျအားဖြင့် 2-3mm ထက်မပိုစေရန် လိုအပ်ပါသည်။ ပထမအလွှာခြောက်သွားပြီးနောက် ဒုတိယအလွှာကို လိမ်းနိုင်ပြီး ၎င်း၏အထူကို 10mm ခန့်တွင် ထိန်းချုပ်ထားပြီး တတိယအလွှာကို သတ်မှတ်ထားသောအထူသို့ရောက်ရှိသည်အထိ သင့်လျော်စွာထူနိုင်သည်။ ချောမွေ့လှပသောမျက်နှာပြင်ကိုသေချာစေရန်အတွက် အစိုဓာတ်ငွေ့ပျံမှု 60% ခန့်ရှိသောအခါ နောက်ဆုံးအဆင့်ညှိခြင်းနှင့် အခြားအပူပေးကုသမှုကို ပြုလုပ်ရမည်။ ဤအပူဒဏ်ခံနိုင်သော insulation ထုတ်ကုန်များအိမ်တွင်းအသုံးပြုသည့်အခါ ယေဘုယျအားဖြင့် ရေစိုခံကုသမှု မလိုအပ်ပါ။


ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ ဖေဖော်ဝါရီလ ၁၅ ရက်

နည်းပညာဆိုင်ရာ အတိုင်ပင်ခံပေးခြင်း